TRANSISTOR 2N4416A-E3

CARACTERÍSTICAS

- Estilo de montaje: Through Hole

- Polaridad de transistor: N-Channel

- Configuración: Single

- Vds (Tensión separación drenador-fuente): 35 V

- Vgs (tensión de separación compuerta-fuente): 35 V

- Corriente de drenaje de la fuente en Vgs=0: 5 mA to 15 mA

- Id: corriente de drenaje continuo: 15 mA

- Pd (disipación de potencia): 300 mW

- Serie: 2N4416

- Marca: Central Semiconductor

- Transconductancia delantera: mín.: 0.0045 S to 0.0075 S